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光通信用デバイス・光センシング用デバイス・球状太陽電池―京セミ株式会社
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技術情報
光通信用デバイス
InGaAsフォトダイオード
InGaAs PIN-TIAレシーバー
InGaAsアバランシェフォトダイオード
InGaAs APD-TIAレシーバー
GaAsフォトダイオード
GaAs PIN-TIAレシーバー
Si PINフォトダイオード
850nm VCSEL
技術情報
光センシング用デバイス
球状太陽電池
光通信用デバイスの技術情報
製品の取り扱いについて
1.光通信用デバイスについて
InGaAsフォトダイオードチップ
(制作中)
2.製品の取り扱いについて
InGaAs、GaAs、Siフォトダイオード用のパッケージ・オプション(1)
InGaAs, GaAs, Si PIN-TIA、APD-TIA用のパッケージ・オプション(2)
3.アプリケーション・ガイド
インターネット空間における光通信用デバイスの役割
(制作中)
InGaAsフォトダイオードチップ KPDE10GC-V3
低暗電流、高速応答の裏面入射型フォトダイオードチップ。
紫外線LED KED365US1
表面実装型のUV LED。紙幣識別機、医療機器、蛍光体励起光源に最適。
スフェラー
®
アレイF12
EIPV(電子機器組込型太陽電池)としてセンサーなどの電源供給に最適。
新会社「スフェラーパワー株式会社」設立のお知らせ
【プレスリリース】
新会社「スフェラーパワー株式会社」の設立と株式会社産業革新機構および株式会社日立ハイテクノロジーズへの第三者割当増資について
【プレスリリース】
OFCNFOEC 2012
に出展 (ブース番号 : 1009) 2012年3月6-8日 米国・ロサンゼルス
【光通信&光センシング】