 2012-01-24 |
京セミはPhotonics West2012 （米国、サンフランシスコ）に出展します。（2012年1月24-26日／The Moscone Center／ブース番号 : 4030） |
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- InGaAsフォトダイオードチップ KPDE10GC-V3
- 低暗電流、高速応答の裏面入射型フォトダイオードチップ。
- 紫外線LED KED365US1
- 表面実装型のUV LED。紙幣識別機、医療機器、蛍光体励起光源に最適。
- スフェラー®アレイF12
- EIPV（電子機器組込型太陽電池）としてセンサーなどの電源供給に最適。
