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条件
Typ.[A/W]
条件
KPDG020C
GaAsフォトダイオード
φ0.2
650
880
1.0GHz
R
L
=50Ω V
R
=2V
-
-
0.6
λ=850nm V
R
=2V
CHIP
KPDG008-H8
GaAsフォトダイオード
φ0.08
650
880
4.0GHz
P
i
=-10dBm V
R
=5V Small signal modulation
-
-
0.55
λ=850nm V
R
=5V
TO-CAN
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