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アバランシェフォトダイオード
KP-A Siアバランシェフォトダイオード
KP-A Siアバランシェフォトダイオード
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Typ.[GHz]
条件
Typ.[A/W]
条件
KPDA100P-H8
KP-A Siアバランシェフォトダイオード
φ1000
400
1000
0.6
M=100 R
L
=50Ω λ=850nm
0.45
M=1 λ=850nm
TO-CAN
KPDA050P-H8
KP-A Siアバランシェフォトダイオード
φ500
400
1000
1.2
M=100 R
L
=50Ω λ=850nm
0.45
M=1 λ=850nm
TO-CAN
KPDA020P-H8
KP-A Siアバランシェフォトダイオード
φ200
400
1000
1.3
M=100 R
L
=50Ω λ=850nm
0.45
M=1 λ=850nm
TO-CAN
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