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Typ.
条件
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条件
Typ.[A/W]
条件
KPID020DS-S
Siフォトダイオード
φ0.2
400
1000
2.0GHz
R
L
=50Ω V
R
=2V
-
-
0.3
λ=850nm V
R
=10V
TO-CAN
KPID050M-H8
Siフォトダイオード
φ0.5
400
1000
-
-
-
-
0.35
λ=850nm V
R
=0V
TO-CAN
KPID020D-H8
Siフォトダイオード
Φ0.2
400
1000
-
-
-
-
0.35
λ=850nm V
R
=0V
TO-CAN
KPD151M53
Siフォトダイオード
□1.25x1.25
400
1100
-
-
16
1000lx @2856k
-
-
MOLD
KPD104M51
Siフォトダイオード
□0.81x0.81
400
1100
-
-
55
1000lx @2856k
-
-
MOLD
KPD101M51
Siフォトダイオード
□0.81x0.81
400
1100
-
-
19
1000lx @2856k
-
-
MOLD
KPD104M32
Siフォトダイオード
□0.81x0.81
400
1100
-
-
10
1000lx @2856k
-
-
MOLD
KPD101M32
Siフォトダイオード
□0.81x0.81
400
1100
-
-
16
1000lx @2856k
-
-
MOLD
KPD101M31
Siフォトダイオード
□0.81x0.81
400
1100
-
-
30
1000lx @2856k
-
-
MOLD
KPD31S
Siフォトダイオード
□2.80x0.80
400
1100
-
-
22
1000lx @2856k
-
-
SMD
KPD30S
Siフォトダイオード
□2.59x2.59
400
1100
-
-
68
1000lx @2856k
-
-
SMD
KPD1803K
Siフォトダイオード
□1.30x1.60
400
1100
-
-
24
1000lx @2856k
-
-
STEM
KPD1803H
Siフォトダイオード
□1.30x1.60
400
1100
-
-
17
1000lx @2856k
-
-
TO-CAN
KPD1801H
Siフォトダイオード
□1.30x1.60
400
1100
-
-
70
1000lx @2856k
-
-
TO-CAN
KPID1301H
Siフォトダイオード
□1.10x1.10
400
1100
-
-
60
1000lx @2856k
-
-
TO-CAN
KPD1203K
Siフォトダイオード
□0.92x0.92
400
1100
-
-
11
1000lx @2856k
-
-
STEM
KPD1203H
Siフォトダイオード
□0.92x0.92
400
1100
-
-
8
1000lx @2856k
-
-
TO-CAN
KPD1201H
Siフォトダイオード
□0.92x0.92
400
1100
-
-
60
1000lx @2856k
-
-
TO-CAN
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