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条件
Typ.[A/W]
条件
KPMC24B
KP-2 二波長フォトダイオード
Si □2.2 x 2.2
InGaAs □0.86 x 0.86
400
900
1000
1700
-
-
-
-
0.6
0.9
λ=850nm V
R
=0V
λ=1550nm V
R
=0V
TO-CAN
KPMC29
KP-2 二波長フォトダイオード
Si □2.2 x 2.2
InGaAs □0.86 x 0.86
400
900
1000
1700
-
-
-
-
0.6
0.9
λ=850nm V
R
=0V
λ=1550nm V
R
=0V
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