ニュース
採用情報
お問い合わせ
JP
日本語
English
中文(簡体)
製品情報
LED
フォトダイオード
PD-TIA
アバランシェフォトダイオード
APD-TIA
フォトトランジスタ
VCSEL
反射センサ―
製品に関する免責事項
アプリケーション
光通信
FA(ファクトリーオートメーション)
金銭機器
医療機器・ヘルスケア
分析・計測機器
ナレッジセンター
光半導体デバイスとは
光半導体の製造工程
技術資料集
PDパッケージオプション
PD-TIAパッケージオプション
企業情報
ミッションとビジョン
会社情報
サステナビリティ
京都セミコンダクターの3つの価値
ニュース
採用情報
お問い合わせ
トップ
製品情報
フォトトランジスタ
Siフォトトランジスタ
Siフォトトランジスタ
読み込み中....
選択項目のみ表示
選択
形名
形状
データシート
製品名
受光サイズ
検出波長
光電流
電流増幅率
半値角
パッケージ
Typ.[mm
2
]
Min.[nm]
Max.[nm]
Typ.[mA]
条件
Typ.
条件
Typ.
条件
KPT081M31
Siフォトトランジスタ
0.64×0.64
400
1000
7
V
CE
=5V 100lx(@2856K)
600
V
CE
=5V I
C
=2mA
60
MOLD
KPT811H3
Siフォトトランジスタ
0.64×0.64
-
1000
2
V
CE
=5V 100lx(@2856K)
600
V
CE
=5V I
C
=2mA
17
TO-CAN
KPT801HB2
Siフォトトランジスタ
0.64×0.64
700
1100
2
V
CE
=5V 100lx(@2856K)
400
V
CE
=5V I
C
=2mA
17
TO-CAN
製品検索
パラメトリック検索
パラメトリック検索
キーワード検索