KP-H キャリア付きInGaAsフォトダイオードKPDEH12L-CC1C

周波数帯域幅 40GHzを可能とするInGaAsフォトダイオードです。集光レンズ一体型のフォトダイオードとすることで光学的位置合わせトレランスを±20μm確保し,レーザ光の入射性を向上しました。フォトダイオードに合わせて専用設計した高周波対応のキャリアに搭載し実装を容易にしたCoC(Chip on Carrier)タイプの製品です。

概要
  • 周波数帯域幅 40GHz対応 (市販トランスインピーダンスアンプ使用時)
  • 一体型集光レンズにより受光径40μmを実現
  • 専用設計の高周波対応キャリア搭載で実装性向上
特徴
  • 周波数帯域幅  35GHz(KPDEH12L-CC1C単独) 40GHz(市販トランスインピーダンスアンプ使用時)
  • 集光レンズをフォトダイオード裏面に集積一体化
  • 高周波対応のキャリアを本フォトダイオードに合わせて専用設計
用途
  • 400GbE(PAM4)/100GbE
  • 400Gbps/200Gbps/100Gbps Digital coherent system)

主な仕様

受光サイズ [mm]
φ0.04
検出波長 Min.[nm] Max.[nm]
900 1700
帯域幅 Typ. 条件
35GHz RL=50W l=1550nm Pin=0dBm Small signal modulation
短絡電流 Typ.[µA] 条件
- -
受光感度 Typ.[A/W] 条件
0.7
0.6
λ=1310nm VR=2V
λ=1550nm VR=2V
パッケージ
CoC
受光サイズ
[mm]
φ0.04
検出波長
Min.[nm] Max.[nm]
900 1700
帯域幅
Typ. 条件
35GHz RL=50W l=1550nm Pin=0dBm Small signal modulation
短絡電流
Typ.[µA] 条件
- -
受光サイズ
Typ.[A/W] 条件
0.7
0.6
λ=1310nm VR=2V
λ=1550nm VR=2V
パッケージ
CoC