波長域を広げるため短い波長に感度を有するSiの受光素子と、長い波長に感度を有するInGaAsの受光素子を同一光軸上に積層しました。
小型化を達成するため、KP-2 二波長フォトダイオードKPMC29はSiの受光素子の基板側に設けた凹状の窪みにInGaAsの受光素子を収納することでパッケージの高さを極限まで低くすることが可能になりました。(特許取得済み、特許第6711985号)
これにより当社従来品に比べ、体積比で1/8まで小型化を実現しています。
概要
- 幅広い受光波長域(λ=400~1700nm)
- 同一光軸下での光学設計が可能
- 小型・低背のトランスファーモールドパッケージでリフロー半田 実装対応
特徴
- 同一光軸上にSiとInGaAsのフォトダイオードがハイブリッド集積 されています。
- 幅広い波長域に感度を有します。
- 低暗電流型製品です。
用途
- 分光光度計
- 放射温度計
- 医療機器
- ヘルスケア機器
- 光ファイバ試験機器(FOTE)