光センシング用デバイス
さまざまな場所で活躍している光センシング用デバイスの分野で
当社は紙幣識別機、ロータリーエンコーダ用デバイスに強みを持っており、さらにITS（高度道路情報システム）用途へと市場を拡大するとともに、画像処理、監視カメラ、植物育成用光源、殺菌・滅菌やガス分析などの新たな用途開拓にも注力しています。
現時点では、可視光線より短波長の紫外線領域であるUV-A（315-380nm）では、GaN系のフォトダイオードやLEDを、UV-B（280-315nm）では、GaN系のUVセンサの開発を鋭意行っております。一方の赤外線より長波長の領域である近赤外線（Near Infrared）（1.0-2.5μm）では、InGaAs系のフォトダイオードやLED、更に中赤外線（2.5-4μm）では、InGaAs系のフォトダイオードの開発も積極的に推し進め品揃えの充実を図って参りました。
短波長用受光素子の用途としては、火炎検知器、水銀・LEDランプモニター、紫外線光量計などがあります。 又、短波長の発光素子の用途としては、樹脂の硬化、紙幣の識別、分析用光源などがあります。一方の長波長では、受光と発光素子を組み合わせた水分検出の近赤外分析法（Near-Infrared Spectroscopy：NIRS）や近赤外線カメラの照明用LEDなども今後期待されております。
但し、Si系のUVセンサーは、このGaN系よりもかなり以前から販売されております。
発光ダイオード（LED）
発光波長は、UV-A領域の最短波長である365nmからNIR領域の最長波長である1650nmをカバー。
これらの中でも、5点の点光源（ポイントソース）LED、7点の平行光LED、4点の多波長LED、10点のGaN系・InGaN系UV LED（367、373nm）、8点のInGaAsP系長波長LED（1300、1450、1550、1650nm）など。
パッケージは、樹脂モールド、ハーメチック封止、エポキシポッティング、SMDセラミックパッケージ封止、トランスファーモールドプロセスによるSMDパッケージなどで対応。
更に砲弾型トップフラットや角型サイドルッキングの特殊な発光パタ－ンを有する樹脂モールドなど。
フォトダイオード
2点のPINフォトダイオード（850nm）、3点のシリコン系UVセンサ(254, 365nm)、12点のGaN系・InGaN系・AlGaN系UVセンサ（260、315、340、355、365nm）、4点のInGaAs系長波長フォトダイオード（1550、1950、2200、2400nm）、3点のInGaAs系・InAs系のペルチェクーラー付き長波長フォトダイオード（1550、3000nm）、2点のハイスピードフォトダイオード（fc=1または2GHz）、1点のシリコン系16チャンネルフォトダイオードのラインナップで対応。
