電子冷却付InGaAs・InAsフォトダイオード
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KPDE086S-H85P
Features
- 860 µm sq. large sensitive area
- Low dark current. High shunt resistance
- Electrically cooled with TEC and thermistor
- Small size (TO-46 Package)
Applications
- Near IR sensors
- Near IR spectroscopy
- Power meters
仕様
絶対最大定格
| 項目 | 記号 | 定格値 | 単位 | 備考 |
|---|---|---|---|---|
| 逆電圧 | VR | 20 | V | |
| 最大光入力 | Pimax | 100 | mW | |
| 順電流 | IF | 50 | mA | |
| サーミスタ許容損失 | Pth | 1.5 | mW | |
| TEクーラー電流 | IC | 1.0(max) | A | |
| 動作温度 | Topr | -40 to +70 | ℃ | 結露なきこと |
| 保存温度 | Tstg | -40 to +85 | ℃ | 結露なきこと |
電気的・光学的特性
| 項目 | 記号 | 特性値 | 単位 | 条件 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Min. | Typ. | Max | ||||
| 受光サイズ | S | 0.86x0.86 | mm | |||
| 検出波長 | λ | 1600(λp) | nm | λp=ピーク波長 | ||
| 受光感度 | R | 0.8 0.9 | 0.9 1.0 | A/W | λ=1310nm λ=1550nm | |
| 暗電流 | ID | 1 | 10 | nA | VR=5V | |
| 端子間容量 | Ct | 45 | 60 | pF | f=1MHz | |
| 半値角 | 2θ | - | deg | |||
電子冷却付InGaAs・InAsフォトダイオード：その他の製品
| 形名 | 受光サイズ (mm) | ピーク感度 波長 (nm), Typ. | 感度 | 半値角 (deg) | パッケージ | 特徴及び用途 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| (A/W) | @λ(nm) | |||||||
 | KPDE086S-H54P | 0.86x0.86 | 1600(λp) | 0.9 1.0 | 1310 1550 | - | TO-5 気密封止 TEクーラー付 | 近赤外線分光、近赤外センサー |
| KPDE086S-H85P | 0.86x0.86 | 1600(λp) | 0.9 1.0 | 1310 1550 | - | TO-46 気密封止 TEクーラー付 | |
 | KPDS100-H54P | 1.00x1.00 | 3300(λp) 3200(λp) | 1.2 1.4 | 3300 | - | TO-5 気密封止 TEクーラー付 | |