電子冷却付InGaAs・InAsフォトダイオード
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KPDS100-H54P
特徴
- φ1.0mm 受光径
- カットオフ波長3.5µm
- TO-5パッケージ
- 電子冷却
用途
- 近～中赤外光センサ
- 赤外光分光計測
- ガス分析
- 温度センサ
仕様
絶対最大定格
| 項目 | 記号 | 定格値 | 単位 | 備考 |
|---|---|---|---|---|
| 逆電圧 | VR | 0.5 | V | |
| サーミスタ許容損失 | Pth | 1.5 | mW | |
| TEクーラー電流 | IC | 1.0 | A | |
| TEクーラー電圧 | VC | 1.85 | V | |
| 動作温度 | Topr | -40 to +60 | ℃ | 結露なきこと |
| 保存温度 | Tstg | -40 to +80 | ℃ | 結露なきこと |
電気的・光学的特性
| 項目 | 記号 | 特性値 | 単位 | 条件 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Min. | Typ. | Max | ||||
| 受光サイズ | S | 1.00x1.00 | mm | |||
| 検出波長 | λ | 3300(λp) 3200(λp) | nm | λp=ピーク波長 動作温度 25℃ λp=ピーク波長 動作温度 -20℃ | ||
| 受光感度 | R | 1.0 1.2 | 1.2 1.4 | A/W | 動作温度 25℃ 動作温度 -20℃ | |
| 半値角 | 2θ | - | deg | |||
| カットオフ波長 | λC | 3.5 3.4 | µm | 動作温度 25℃ 動作温度 -20℃ | ||
| 並列抵抗 | Rsh | 15 300 | 18 380 | Ω | 動作温度 25℃ 動作温度 -20℃ | |
| 比検出能 | D* | 2.5x10^9 1.4x10^10 | 3.5x10^9 1.7x10^10 | cmHz1/2/W | λ=λp 動作温度 25℃ λ=λp 動作温度 -20℃ | |
電子冷却付InGaAs・InAsフォトダイオード：その他の製品
| 形名 | 受光サイズ (mm) | ピーク感度 波長 (nm), Typ. | 感度 | 半値角 (deg) | パッケージ | 特徴及び用途 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| (A/W) | @λ(nm) | |||||||
 | KPDE086S-H54P | 0.86x0.86 | 1600(λp) | 0.9 1.0 | 1310 1550 | - | TO-5 気密封止 TEクーラー付 | 近赤外線分光、近赤外センサー |
| KPDE086S-H85P | 0.86x0.86 | 1600(λp) | 0.9 1.0 | 1310 1550 | - | TO-46 気密封止 TEクーラー付 | |
 | KPDS100-H54P | 1.00x1.00 | 3300(λp) 3200(λp) | 1.2 1.4 | 3300 | - | TO-5 気密封止 TEクーラー付 | |