シリコンアバランシェフォトダイオード
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KPDA050P-H8
特徴
- 1.3GHz応答（0.2mm受光径）
- 1.2GHz応答（0.5mm受光径）
- 0.6GHz応答（1mm受光径）
- 高ゲイン
用途
- 短波長光通信
- 光計測
- 光センサ
- 微弱光検出
仕様
絶対最大定格
| 項目 | 記号 | 定格値 | 単位 | 備考 |
|---|---|---|---|---|
| 逆電流 | IR | 0.2 | mA | |
| 順電流 | IF | 10 | mA | |
| 動作温度 | Topr | -40 to +85 | ℃ | 結露なきこと |
| 保存温度 | Tstg | -40 to +125 | ℃ | 結露なきこと |
電気的・光学的特性
| 項目 | 記号 | 特性値 | 単位 | 条件 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Min. | Typ. | Max | ||||
| 受光径 | D | 500 | µm | |||
| 検出波長 | λ | 400 | 780(λp) | 1000 | nm | |
| 受光感度 | R | 0.4 | 0.45 | A/W | M=1, λ=850nm | |
| 降伏電圧 | VB | 80 | 120 | 200 | V | IR=100µA |
| 降伏電圧温度係数 | ΔVB/ΔT | 0.55 | V/℃ | |||
| 暗電流 | ID | 20 | 500 | pA | VR=50V | |
| 端子間容量 | Ct | 1.7 | 3.0 | pF | VR=0.9VB, f=1MHz | |
| 遮断周波数 | fc | 1.2 | GHz | M=100, RL=50Ω, λ=850nm | ||
シリコンアバランシェフォトダイオード：その他の製品
| 形名 | 受光径 (µm dia.) | ピーク感度 波長 (nm) | 感度 | 増幅率 | パッケージ | 特徴及び用途 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| (A/W) | @λ(nm) | |||||||
 | KPDA020-H8 | 200 | 670(λp) | 0.45 | 800 | 150 | TO-18 気密封止 | fc=1.5GHz |
 | KPDA050-H8 | 500 | 670(λp) | 0.45 | 800 | 150 | fc=0.4GHz | |
 | KPDA100-H8 | 1000 | 670(λp) | 0.35 | 660 | 150 | fc=0.25GHz | |
 | KPDA020P-H8 | 200 | 780(λp) | 0.45 | 850 | 150 | fc=1.3GHz | |
 | KPDA050P-H8 | 500 | 780(λp) | 0.45 | 850 | 150 | fc=1.2GHz | |
 | KPDA100P-H8 | 1000 | 780(λp) | 0.45 | 850 | 150 | fc=0.6GHz | |