シリコンフォトトランジスタ
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KPT801H
Features
- NPN phototransistor packaged in a 2 leads TO-18
- Glass lens
- Low leak current
Applications
- Optical switches
- Optical encoders
- Photo-isolator
- Camera stroboscopes
- Infrared sensors
- Automatic control apparatus
仕様
絶対最大定格
| 項目 | 記号 | 定格値 | 単位 | 備考 |
|---|---|---|---|---|
| コレクタ−エミッタ間電圧 | Vceo | 20 | V | |
| エミッタ−コレクタ間電圧 | Veco | 5 | V | |
| 動作温度 | Topr | -25 to +125 | ℃ | 結露なきこと |
| 保存温度 | Tstg | -55 to +150 | ℃ | 結露なきこと |
電気的・光学的特性
| 項目 | 記号 | 特性値 | 単位 | 条件 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Min. | Typ. | Max | ||||
| 受光サイズ | S | 0.64×0.64 | mm | |||
| 検出波長 | λ | 700 | 800(λp) | 1000 | V | λp=ピーク波長 |
| 光電流 | IL | 2 | mA | VCE=5V, 100lx(@2856k) | ||
| 暗電流 | ID | 100 | 200 | nA | VCE=20V | |
| 電流増幅率 | hFE | 600 | - | VCE=5V, IC=2mA | ||
| コレクタ飽和電圧 | Vce(sat) | 0.4 | V | IC=0.1mA, 100lx(@2856k) | ||
| 立上がり・立下がり時間 | tr,tf | 5 | µS | VCE=5V, IC=2mA, RL=100Ω | ||
| 半値角 | 2θ | 17 | deg | |||
シリコンフォトトランジスタ：その他の製品
| 形名 | 受光サイズ (mm) | ピーク感度 波長 (nm), Typ. | 光電流 VCE=5V | 半値角 (deg) | パッケージ | 特徴及び用途 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| (mA) | (IX) | |||||||
 | KPT801H | 0.64×0.64 | 800(λp) | 2 | 100 | 17 | TO-18 気密封止 | 標準 |
 | KPT801HB | 0.64×0.64 | 800(λp) | 3 | 100 | 17 | 可視光カットタイプ | |
 | KPT811H | 0.64×0.64 | 800(λp) | 2 | 100 | 17 | ベース端子付 | |
 | KPT801C | 0.64×0.64 | 800(λp) | 4 | 1000 | 120 | φ3セラミック エポキシ樹脂レンズ | セラミックタイプ |
 | KPT081M31 | 0.64×0.64 | 800(λp) | 7 | 1000 | 60 | φ3樹脂モールド | 透明樹脂モールドタイプ |
 | KPT081M32 | 0.64×0.64 | 800(λp) | 4 | 1000 | 90 | ||