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InGaAsフォトダイオードチップ KPDE10GC-V3
低暗電流、高速応答の裏面入射型フォトダイオードチップ。
紫外線LED KED365US1
表面実装型のUV LED。紙幣識別機、医療機器、蛍光体励起光源に最適。
スフェラー®アレイF12
EIPV(電子機器組込型太陽電池)としてセンサーなどの電源供給に最適。

ニュース&トピック

  • 京セミはPhotonics West2012 (米国、サンフランシスコ)に出展します。(2012年1月24-26日/The Moscone Center/ブース番号 : 4030)
  • 球状太陽電池スフェラー®の応用製品「スフェラーランタン」の発売を開始しました。(2011年11月1日)
  • Sensors Expo amp; Conference(米国イリノイ州ローズモント)に出展。 (2011年6月6~8日/Donald E. Stephens Convention Center/ブース番号:822)