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5G 及其以上:京都半导体集成聚镜板上芯片型 KP-H 高速光电二极管实现 40GHz 带宽

传输速度为 400Gbps 的 KP-H KPDEH12L-CC1C 将于 2020 年 11 月开始量产

东京–(BUSINESS WIRE)–(美国商业资讯)– 京都半导体股份有限公司(Kyoto Semiconductor Co., Ltd.,总部位于日本京都)开发了一款高速光电二极管 KP-H KPDEH12L-CC1C,以支援数 据中心内部和数据中心之间使用脉冲幅度调制 4 (PAM4)的 400Gbps 传输系统。随着此款 InGaAs 光电二极管的推出,我们将持续支援 5G 及其以上传输系统不断增长的超高速及大容量需求。量产 将于 2020 年 11 月开始。

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