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Beyond 5G を見据えキャリア搭載型裏面レンズ集積受光素子で帯域 40GHz を実現

~伝送速度 400Gbps 対応 KP-H 高速フォトダイオード KPDEH12L-CC1C を開発2020 年 11 月量産開始~
創業40年世界水準の技術を武器に日本品質のものづくりで光デバイス・ソリューションをリードする 株式会社京都セミコンダクター (代表取締役社長兼CEO高橋恒雄、本社: 京都市伏見区) は、データ センター (DC) 内、DC間で用いられる4値変調方式 (PAM4)(注1) を利用する400Gbps伝送システ ム向けに、40GHzと広い変調帯域を有するインジウムガリウムヒ素フォトダイオード KP-H KPDEH12LC-CC1C を開発しました。本格的な5G時代、またその先に向けて、拡大を続ける伝送シ ステムの高速化、大容量化への要求に応えます。2020年11月に量産開始を予定しています。

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