KP-A SiアバランシェフォトダイオードKPDA020P-H8

特徴
  • 1.3GHz応答(0.2mm受光径)
  • 1.2GHz応答(0.5mm受光径)
  • 0.6GHz応答(1mm受光径)
  • 高ゲイン
用途
  • 短波長光通信
  • 光計測
  • 光センサ
  • 微弱光検出
パッケージオプション

主な仕様

受光サイズ Typ.[µm]
φ200
検出波長 Min.[nm] Max.[nm]
400 1000
遮断周波数 Typ.[GHz] 条件
1.3 M=100 RL=50Ω λ=850nm
受光感度 Typ.[A/W] 条件
0.45 M=1 λ=850nm
パッケージ
TO-CAN
受光サイズ
Typ.[µm]
φ200
検出波長
Min.[nm] Max.[nm]
400 1000
遮断周波数
Typ.[GHz] 条件
1.3 M=100 RL=50Ω λ=850nm
受光感度
Typ.[A/W] 条件
0.45 M=1 λ=850nm
パッケージ
TO-CAN