InGaAsフォトダイオードKPDB086S-H8

特徴
  • 大受光面積 0.86mm sq.
  • 低暗電流
  • 低電圧駆動
用途
  • 近赤外線センサ
  • LD / LED パワーモニタ
  • 近赤外線分光分析
  • パワーメータ
パッケージオプション

主な仕様

受光サイズ [mm]
□0.86x0.86
検出波長 Min.[nm] Max.[nm]
800 1700
帯域幅 Typ. 条件
50MHz RL=50Ω
VR=2V
短絡電流 Typ.[µA] 条件
- -
受光感度 Typ.[A/W] 条件
0.45
1.1
λ=850nm VR=0V
λ=1550nm VR=5V
パッケージ
TO-CAN
受光サイズ
[mm]
□0.86x0.86
検出波長
Min.[nm] Max.[nm]
800 1700
帯域幅
Typ. 条件
50MHz RL=50Ω
VR=2V
短絡電流
Typ.[µA] 条件
- -
受光サイズ
Typ.[A/W] 条件
0.45
1.1
λ=850nm VR=0V
λ=1550nm VR=5V
パッケージ
TO-CAN