KP-M モニタ用InGaAsフォトダイオードKPDE008LS-A-RA-HQ

特徴
  • 小型、高密度実装対応
  • 低容量、高速応答
  • 低暗電流
  • 高信頼性
  • 広い波長帯域に対応 (O- ,E- , S-, C-, L-Band)
  • 高温状態で特性検査を実施
用途
  • 光モニタ

主な仕様

受光サイズ [mm]
φ0.08
検出波長 Min.[nm] Max.[nm]
900 1700
帯域幅 Typ. 条件
2.0GHz RL=50Ω Pi=-10dBm VR=5V
短絡電流 Typ.[µA] 条件
- -
受光感度 Typ.[A/W] 条件
0.8
0.9
λ=1310nm VR=5V
λ=1550nm VR=5V
パッケージ
TO-CAN
受光サイズ
[mm]
φ0.08
検出波長
Min.[nm] Max.[nm]
900 1700
帯域幅
Typ. 条件
2.0GHz RL=50Ω Pi=-10dBm VR=5V
短絡電流
Typ.[µA] 条件
- -
受光サイズ
Typ.[A/W] 条件
0.8
0.9
λ=1310nm VR=5V
λ=1550nm VR=5V
パッケージ
TO-CAN