InGaAsフォトダイオードKPDE0301M51

特徴
  • 感度波長 900–1700nm
  • 樹脂モールド
  • 各種パッケージ対応可
  • (セラミック、金属ステム、気密キャン)
用途
  • 光スイッチ
  • センサー
  • 制御機器

主な仕様

受光サイズ [mm]
φ0.3
検出波長 Min.[nm] Max.[nm]
900 1700
帯域幅 Typ. 条件
- -
短絡電流 Typ.[µA] 条件
- -
受光感度 Typ.[A/W] 条件
0.9 λ=1550nm
パッケージ
MOLD
受光サイズ
[mm]
φ0.3
検出波長
Min.[nm] Max.[nm]
900 1700
帯域幅
Typ. 条件
- -
短絡電流
Typ.[µA] 条件
- -
受光サイズ
Typ.[A/W] 条件
0.9 λ=1550nm
パッケージ
MOLD