KP-R レシーバ用InGaAsフォトダイオードKPDE10GC-V2

特徴
  • 表面入射型
  • 低暗電流
  • 高信頼性
  • 低コスト
用途
  • デジタル/アナログ光通信
  • 光LAN
  • OTDR

主な仕様

受光サイズ [mm]
φ0.028
検出波長 Min.[nm] Max.[nm]
900 1700
帯域幅 Typ. 条件
14GHz Pi=10dBm VR=5V Small signal modulation
短絡電流 Typ.[µA] 条件
- -
受光感度 Typ.[A/W] 条件
0.80
0.85
λ=1310nm VR=5V
λ=1550nm VR=5V
パッケージ
CHIP
受光サイズ
[mm]
φ0.028
検出波長
Min.[nm] Max.[nm]
900 1700
帯域幅
Typ. 条件
14GHz Pi=10dBm VR=5V Small signal modulation
短絡電流
Typ.[µA] 条件
- -
受光サイズ
Typ.[A/W] 条件
0.80
0.85
λ=1310nm VR=5V
λ=1550nm VR=5V
パッケージ
CHIP