KP-A InGaAsアバランシェフォトダイオードKPDEA007-56F

概要

InGaAs アバランシェフォトダイオード ウィンドウ付き φ5.6mm キャンパッケージ

特徴
  • ハイスピード(1.25Gpbsまで)
  • 低暗電流
  • 高感度
用途
  • SONET
  • GE-PON
パッケージオプション

主な仕様

受光サイズ Typ.[µm]
φ75
検出波長 Min.[nm] Max.[nm]
900 1700
遮断周波数 Typ.[GHz] 条件
2 M=10
受光感度 Typ.[A/W] 条件
0.90
1.05
M=1  λ=1310nm
M=1  λ=1550nm
パッケージ
TO-CAN
受光サイズ
Typ.[µm]
φ75
検出波長
Min.[nm] Max.[nm]
900 1700
遮断周波数
Typ.[GHz] 条件
2 M=10
受光感度
Typ.[A/W] 条件
0.90
1.05
M=1  λ=1310nm
M=1  λ=1550nm
パッケージ
TO-CAN