KP-H InGaAsフォトダイオードKPDEH16L-CC1D

周波数帯域幅 35GHzを可能とするInGaAsフォトダイオードです。集光レンズ一体型のフォトダイオードとすることで光学的位置合わせのトレランスを±30μm確保し,レーザ光の入射性を向上しました。フォトダイオードに合わせて専用設計した高周波対応のキャリアに搭載し実装を容易にしたCoC(Chip on Carrier)タイプの製品
です。

特徴
  • 周波数帯域幅 35GHz対応 (市販トランスインピーダンスアンプ使用時)
  • 一体型集光レンズにより受光径40μmを実現
  • 専用設計の高周波対応キャリア搭載で実装性向上
用途
  • 400GbE(PAM4)/100GbE
  • 400Gbps/200Gbps/100Gbps Digital coherent system

主な仕様

受光サイズ [mm]
φ0.04
検出波長 Min.[nm] Max.[nm]
900 1700
帯域幅 Typ. 条件
35GHz RL=50W
λ=1550nm
Pin=0dBm
Small signal modulation
短絡電流 Typ.[µA] 条件
- -
受光感度 Typ.[A/W] 条件
0.7
0.6
λ=1310nm VR=2V
λ=1550nm VR=2V
パッケージ
CoC
受光サイズ
[mm]
φ0.04
検出波長
Min.[nm] Max.[nm]
900 1700
帯域幅
Typ. 条件
35GHz RL=50W
λ=1550nm
Pin=0dBm
Small signal modulation
短絡電流
Typ.[µA] 条件
- -
受光サイズ
Typ.[A/W] 条件
0.7
0.6
λ=1310nm VR=2V
λ=1550nm VR=2V
パッケージ
CoC