KP-H InGaAsフォトダイオードKPDEH16LC

超高速応答を可能とするInGaAsフォトダイオードです。集光レンズ一体型のフォトダイオードとすることで光学的位置合わせのトレランスを±30μm確保し,レーザ光の入射性を向上しました。

※受光径サイズ、入射面(表裏)、レンズ有無などのご要望がございましたらお問い合わせください。

特徴
  • 一体型集光レンズにより受光径40μmを実現
  • 超高速応答
  • 高信頼性
用途
  • 400GbE(PAM4)/100GbE
  • 400Gbps/200Gbps/100Gbps Digital coherent system

主な仕様

受光サイズ [mm]
φ0.04
検出波長 Min.[nm] Max.[nm]
900 1700
帯域幅 Typ. 条件
32GHz VR=2V,λ=1310nm, RL=50Ω,
Pin=0dBm,Small signal modulation
短絡電流 Typ.[µA] 条件
- -
受光感度 Typ.[A/W] 条件
0.7 VR=2V,λ=1310nm, Pin=0dBm
パッケージ
CHIP
受光サイズ
[mm]
φ0.04
検出波長
Min.[nm] Max.[nm]
900 1700
帯域幅
Typ. 条件
32GHz VR=2V,λ=1310nm, RL=50Ω,
Pin=0dBm,Small signal modulation
短絡電流
Typ.[µA] 条件
- -
受光サイズ
Typ.[A/W] 条件
0.7 VR=2V,λ=1310nm, Pin=0dBm
パッケージ
CHIP