GaAsフォトダイオードKPDG020C

特徴
  • 大受光径
  • 低暗電流
  • 高速
用途
  • 光配線
パッケージオプション

主な仕様

受光サイズ [mm]
φ0.2
検出波長 Min.[nm] Max.[nm]
650 880
帯域幅 Typ. 条件
1.0GHz RL=50Ω VR=2V
短絡電流 Typ.[µA] 条件
- -
受光感度 Typ.[A/W] 条件
0.6 λ=850nm VR=2V
パッケージ
CHIP
受光サイズ
[mm]
φ0.2
検出波長
Min.[nm] Max.[nm]
650 880
帯域幅
Typ. 条件
1.0GHz RL=50Ω VR=2V
短絡電流
Typ.[µA] 条件
- -
受光サイズ
Typ.[A/W] 条件
0.6 λ=850nm VR=2V
パッケージ
CHIP