KP-E 端面入射型InGaAsフォトダイオードKPEIMC-UDCOM

特徴
  • 端面入射型
  • 広い入射エリア (100x120µm)
  • 低暗電流
  • 高信頼性
用途
  • レーザーモニタ
  • 光インターコネクション
  • FTTHデジタル光通信

主な仕様

受光サイズ [mm]
□0.1x0.12
検出波長 Min.[nm] Max.[nm]
900 1700
帯域幅 Typ. 条件
1.5GHz Pi=10dBm VR=5V Small signal modulation
短絡電流 Typ.[µA] 条件
- -
受光感度 Typ.[A/W] 条件
0.55
0.75
λ=1310nm Pi=10dBm VR=5V
λ=1550nm Pi=10dBm VR=5V
パッケージ
CHIP
受光サイズ
[mm]
□0.1x0.12
検出波長
Min.[nm] Max.[nm]
900 1700
帯域幅
Typ. 条件
1.5GHz Pi=10dBm VR=5V Small signal modulation
短絡電流
Typ.[µA] 条件
- -
受光サイズ
Typ.[A/W] 条件
0.55
0.75
λ=1310nm Pi=10dBm VR=5V
λ=1550nm Pi=10dBm VR=5V
パッケージ
CHIP