SiフォトダイオードKPID020D-H8

特徴
  • 受光径200µmで2GHzの高速応答性
  • 受光径500µmで0.4GHzを実現
  • 低暗電流
  • 低電圧駆動
  • 多様なパッケージに対応
用途
  • 短波長光通信
  • 光計測
  • 光センサ
パッケージオプション

主な仕様

受光サイズ [mm]
Φ0.2
検出波長 Min.[nm] Max.[nm]
400 1000
帯域幅 Typ. 条件
- -
短絡電流 Typ.[µA] 条件
- -
受光感度 Typ.[A/W] 条件
0.35 λ=850nm VR=0V
パッケージ
TO-CAN
受光サイズ
[mm]
Φ0.2
検出波長
Min.[nm] Max.[nm]
400 1000
帯域幅
Typ. 条件
- -
短絡電流
Typ.[µA] 条件
- -
受光サイズ
Typ.[A/W] 条件
0.35 λ=850nm VR=0V
パッケージ
TO-CAN